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BSZ16DN25NS3 G 全國供應商、價格、PDF資料

型號：廠商：批號：封裝：
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BSZ16DN25NS3 G詳細規格

類別：FET - 單
描述：MOSFET N-CH 250V 10.9A 8TSDSON
系列：OptiMOS™
制造商：Infineon Technologies
FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET特點：邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444：250V
電流_連續漏極333Id4440a025000C：10.9A
開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：165 毫歐 @ 5.5A，10V
Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 32µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs：11.4nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds：920pF @ 100V
功率_最大：62.5W
安裝類型：表面貼裝
封裝/外殼：8-PowerTDFN
供應商設備封裝：-
包裝：剪切帶 (CT)

BSZ16DN25NS3 G詳細規格

類別：FET - 單
描述：MOSFET N-CH 250V 10.9A 8TSDSON
系列：OptiMOS™
制造商：Infineon Technologies
FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET特點：邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444：250V
電流_連續漏極333Id4440a025000C：10.9A
開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：165 毫歐 @ 5.5A，10V
Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 32µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs：11.4nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds：920pF @ 100V
功率_最大：62.5W
安裝類型：表面貼裝
封裝/外殼：8-PowerTDFN
供應商設備封裝：-
包裝：帶卷 (TR)

BSZ16DN25NS3 G詳細規格

類別：FET - 單
描述：MOSFET N-CH 250V 10.9A 8TSDSON
系列：OptiMOS™
制造商：Infineon Technologies
FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET特點：邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444：250V
電流_連續漏極333Id4440a025000C：10.9A
開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：165 毫歐 @ 5.5A，10V
Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 32µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs：11.4nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds：920pF @ 100V
功率_最大：62.5W
安裝類型：表面貼裝
封裝/外殼：8-PowerTDFN
供應商設備封裝：-
包裝：Digi-Reel®

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